一、内存发展史
DDR、GDDR、LPDDR，分别作为电脑、显卡、手机的内存
DDR全称是(Double Data Rate SDRAM双倍速率SDRAM)，是DDR家族的老大。DDR是个人计算机和服务器标准内存，根据具体使用场景的不同还分为DDRL（低功耗平台）和ECC DDR（服务器）。从上图我们看到DDR的升级路线是非常稳健的，从2000年推出DDR1以来到DDR4历经20年更新了四代。
GDDR我们一般称之为显存，“G”代表Graphics。顾名思义，GDDR就是针对图形显示卡所特化的一种DDR内存。2000年后电脑游戏的发展和火爆，人们对于显卡性能需求日益增长。运行电脑游戏对显卡GPU有高速数据交互需求，而且GPU与显存之间的数据交换非常频繁，特别是3D游戏的纹理贴图对显存带宽和容量的要求更高。所以GDDR应运而生。目前GDDR主要运用在显卡和游戏主机上。
LPDDR是在DDR的基础上多了LP（Low Power）前缀，又称为mDDR（Mobile DDR SDRAM）。时间回到Android 1.6和IOS 3.0的时代，早期手机上所采用的DDR SDRAM不管是速度还是功耗都无法满足智能手机的需要了，于是更低功耗更小体积更小的LPDDR内存出现了。由于LPDDR出生最晚。
这三种内存虽然都起源于DDR。
step1 :查看服务器出厂硬件原始配置和检测现有配置
http://www.dell.com/support/home/cn/zh/cndhs1?app=warranty&~ck=mn
输入服务器的服务编码后，显示：
Dell PowerEdge R710—Information Update System Memory（系统内存参数）
This document provides latest information on the supported memoryconfigurations listed in the Hardware Owner’s Manual atsupport.dell.com/manuals.For systems with two processors:•
Single-rank and dual-rank RDIMMs of sizes 2 GB, 4 GB, 8 GB, and 16 GBare supported for a total of up to 288 GB.• Quad-rank RDIMMs (two per channel) are supported for a total of up to192 GB.• 1 GB and 2 GB UDIMMs are supported for a total of up to 24 GB. Memory Module Installation Guidelines（内存模块安装指南）The memory speed of each channel depends on the memory configuration:• For single or dual-rank memory modules:– One and two memory modules per channel support up to 1333 MHz.– Three memory modules per channel support up to 800 MHz.• For quad-rank memory modules:– One memory module per channel supports up to 1067 MHz.– Two memory modules per channel are limited to 800 MHz, regardless of memory module speed.
普通内存，ECC内存和REG ECC内存有什么不同
内存分类，udimm，rdimm，普通内存属于前者； ecc内存，ecc也有udimm和rdimm，志强e3只能用udimm ecc，e5以上志强才可以用rdimm ecc，对应接口的i7处理器，比如跟e3接口一样的i7可以用udimm ecc，而跟e5接口一样的i7可以用rdimm ecc，跟志强的区别是，i7不能开启ecc校验； ecc内存与非ecc内存区别，多一个ecc校验，可以降低因为内存错误导致的死机；
udimm和rdimm区别，udimm是控制器直接访问内存颗粒，rdimm是先访问寄存器（r就是register的意思），这里我们可以看出，是否能用rdimm，取决于内存控制器是否具备控制寄存器的能力，而且由于内存控制器访问寄存器，rdimm的容量远远大于udimm，ddr4来说，目前udimm最大16GB，而rdimm目前最大64GB；
内存 DELL PowerEdge R710服务器内存条插法
官方给的文档。DELL PowerEdge R710服务器参考手册132页
DELL R710不同容量的内存插法
CPU1 使用，DIMMA1、A2、A4、A5
CPU2 使用，DIMMB1、B2、B4、B5.
DELL PowerEdge R710服务器支持 DDR3的 DIMM (RDIMM) 或 ECC非缓冲的 DIMM(UDIMM)。单列和双列 DIMM可以是 1067 MHz 或 1333 MHz，四列DIMM可以是 1067 MHz。 DELL PowerEdge R710服务器含 18 个内存插槽，分为两组，每组九个插槽，分别用于一个处理器。每组插槽（9个）分为三个通道，每个通道有三个内存插槽。每个通道的第一个插槽上都标有白色释放拉杆。
DELL PowerEdge R710服务器支持的最大内存取决于所用的内存模块类型和大小：
• 对于大小为 2-GB、4-GB和 8-GB （如果有）的单列和双列RDIMM，支持的总量最大为 144 GB。
• 对于四列 RDIMM （每个通道两个），支持的总量最大为 96 GB。
• 对于 1 GB 和 2 GB的 UDIMM，支持的最大总容量为 24 GB。
内存一般安装原则
为确保获得最佳系统性能，请在配置系统内存时遵守以下通用原则：
注：未遵循这些原则的内存配置会导致系统在启动时停机，并且无任何系统消息的视频输出。
• 不能混合安装 RDIMM 和 UDIMM。
• 每个通道不得安装两个以上 UDIMM。
• 除了未使用的内存通道之外，所有被占用的内存通道的配置必须相同。
• 在双处理器配置中，每个处理器的内存必须配置相同。
• 大小不同的内存模块可以在一个内存通道中混用（如 2-GB、8-GB和4-GB），但所有被占用的通道的配置必须相同。
• 对于优化器式，内存模块按照插槽的数字顺序安装，以 A1 或 B1开始。
• 对于内存镜像模式或高级 ECC 模式，离处理器最远的三个插槽不使用，内存模块首先从插槽 A2或 B2 开始安装，然后按剩下插槽的数字顺序安装（如 A2、A3、A5、A6、A8和 A9）。
• 高级 ECC 模式需要 x4或 x8 DRAM 设备宽度。• 每个通道的内存速度因内存配置而异：
– 对于单列或双列内存模块：
• 每个通道一个内存模块时最多支持 1333 MHz。
• 每个通道两个内存模块时最多支持 1067 MHz。
• 每个通道三个内存模块时最多支持 800 MHz（不管内存模块速率如何）。
– 对于四列内存模块：
• 每个通道一个内存模块时最多支持 1067 MHz。
• 每个通道两个内存模块时最多支持 800 MHz，不管内存模块的速率如何。
• 如果安装了四列内存模块，则只能再向该通道添加一个内存模块。
• 如果四列内存模块与单列或双列模块混用，则四列模块必须安装在带有白色释放拉杆的插槽中。
• 如果安装了速率不同的内存模块，则它们将以最慢内存模块的速率运行。
模式特定原则每个处理器均分配有三个内存通道。通道数量及允许的配置取决于选定的内存模式。 内存镜像支持如果在离处理器最近的两个通道中安装相同的内存模块（最远的通道不安装内存模块），则系统支持内存镜像。必须在系统设置程序中启用镜像。在镜像配置中，可用的总系统内存为总安装内存的一半。 优化器（独立通道）模式在此模式中，三个通道均为相同的内存模块所占用。此模式允许较大的总内存容量,但不支持带有基于 x8内存模块的 SDDC。除此之外，此模式还支持每个处理器一个 1 GB内存模块的最小单通道配置。
表 3-1、表3-2和表 3-3 显示了遵循本节所述相应内存原则的示例内存配置。
示例显示了相同内存模块配置及它们的总物理内存和总可用内存。这两个表格未显示混合或四列内存模块配置，也不涉及任何配置的内存速度考虑。
内存型号选购
1.服务器内存都是带Ecc的
2.E是ECC，不带REG的；R代表ECC REG，两者不能混插
单列、双列、四列内存条
最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用 DIP（Dual ln-line Package，双列直插式封装）封装，DIP 芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP 芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了 DIP 芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。此种方法付出的代价较大，也极为不便。对于内存存储器，大多数现代的系统，都已采用单列直插内存模块（Single Inline Memory Module，SIMM）或双列直插内存模块（Dual Inline Memory Module，DIMM）来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。
3、内存模块
1) SIMM
SIMM（Single Inline Memory Module，单列直插内存模块）。内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM 就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的 FPM 和 EDD DRAM，最初一次只能传输 8bif 数据，后来逐渐发展出 16bit、32bit 的 SIMM 模组。其中，8bit 和 16bit SIMM 使用 30pin 接口，32bit 的则使用 72pin 接口。在内存发展进入 SDRAM 时代后，SIMM 逐渐被 DIMM 技术取代。
2) DIMM
DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块）。与 SIMM 相当类似，不同的只是 DIMM 的金手指两端，不像 SIMM 那样是互通的，它们各自独立传输信号。因此，可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用 DIMM，SDRAM 的接口与 DDR 内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM 为 168Pin DIMM 结构，金手指每面为 84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；DDR DIMM 则采用 184Pin DIMM 结构，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM 为 240pin DIMM 结构，金手指每面有 120Pin，与 DDR DIMM 一样金手指一样，也只有一个卡口，但是卡口的位置与 DDR DIMM 稍微有一些不同。因此，DDR 内存是插不进 DDR2 DIMM 的，同理 DDR2内存也是插不进 DDR DIMM 的。因此，在一些同时具有 DDR DIMM 和 DDR2 DIMM 的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
单列rank和双列rank内存区别在于内存颗粒的数量多少。CPU和内存通信的数据宽度是64bit当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个模组就是有一个RANK 单列、双列和四列 DIMM各是什么含义？ 单列 DIMM 具有一组内存芯片，在内存中写入或读取数据时将会访问这些芯片。双列 DIMM 相当于同一模块中包含两个单列 DIMM， 但每次只能访问一列。 四列 DIMM 相当于同一模块中包含两个两列 DIMM，但每次只能访问一列。在 DIMM 中写入或读取数据时，服务器内存控制子系统将在 DIMM 中选择正确的列。 双列和四列 DIMM 为现有内存技术提供了最大容量。例如，如果当前 DRAM 技术支持 2 GB 单列DIMM，则双列 DIMM 为 4 GB，四列 DIMM 为 8 GB。 服务器内存UDIMM与RDIMM区别？ UDIMM 全称是无缓冲双信道内存模块（Unbuffered Dual In-Lne Memory Modules）,它不支持服务器内存满配，就是最高容量了，因为使用UDIMM内存时最大使用每通道只能用2个插槽，但支持3通道，所以只能每边插6 条，一共12条内存，不能插满18个插槽，虽然性能会有所下降，但是对于预算比较有限的用户来说，是个很好的方案。 RDIMM 带寄存器的双信道内存模块(Registered Dual In-Lne Memory Modules)，它表示控制器输出的地址和控制信号经过Register芯片寄存后输出到DRAM芯片，控制器输出的时钟信号经过PLL后到达各个DRAM芯片。比起UDIMM来由于有了寄存器，所以处理速度各方面性能都有不少提升，有2种工作模式，即 Registered模式（寄存器模式）和Buffered（缓冲器模式）模式。在支持Registered工作模式的主板上工作时，Registered内存工作于Registered模式，这时主板上的地址信号和控制信号会比数据信号先一个时钟周期到达DIMM，送入Register芯片后会在其中停留一个时钟周期，然后在下一个时钟信号的上升沿从Register输出，与此时从主板上到达DIMM的数据信号一起同时传送到SDRAM。当Registered内存工作在普通的主板上时，为Buffered工作模式，这时所有的信号也基本上是同时到达DIMM再同时传，Register芯片这时在功能上只相当于一个 简单的Buffer，其输入到输出之间是直通的，只简单的起到改善地址信号和控制信号的作用送到SDRAM，时序上与Unbuffered内存是一样的。 （一般用于服务器）适合不同的主板，并且RDIMM支持最高配置，不会受到内存插的数量限制。 总结 RDIMM支持两种工作模式，支持高性能的Registered DIMM工作模式，可以达到内存容量的最高配，价格较高。 UDIMM只能工作在Unbuffered模式，无法达到内存的最高配，性能不如RDIMM，但是价格相对较低。 举例说明 内存插法这里要说下的是，由于服务器的CPU常常会不止一个，所以内存插法要注意以双CPU的服务器为例，左右2边都有内存插槽，它们分别属于一个CPU，所以每个CPU只能分到72GB的内存，即9*8，插内存时候要对称，尽量避免 5，7，这类的插法，因为内存支持3通道，所以可以每边3条，或者继续双通道2条也可以，但是5条分配不均，启动不了的，7也是这样。 Memory Operating Mode（内存运行模式） 如果安装了有效内存配置，则会显示内存运行类型。设置为 Optimizer mode（优化器模式）时，内存控制器彼此独立运行，以提高内存性能。设置为 Mirror mode（镜像模式）时，则将启用内存镜像。设置为 Advanced ECC Mode（高级 ECC 模式）时，两个控制器将组合成 128 位的模式，运行多位高级 ECC。Spare mode（备用模式）选项仅出现在配有 Intel Xeon 5600 系列处理器的系统中。
Hardware 其它知识点: 作者：鹏小鹕链接：https://www.zhihu.com/question/53411741/answer/184625090
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Intel 对于内存通道模式有单通道，双通道，三通道，四通道和混合模式。
内存单通道(非对称模式）Single-channel (asymmetric) mode 单通道模式提供单通道带宽操作，当仅安装一个DIMM时，或者当超过一个DIMM的内存容量不相等时，就会使用该模式。当在通道间使用不同的速度调暗时，也会使用最慢的内存工作频率。DIMM(Dual-Inline-Memory-Modules),即双列直插式存储模块。
一根内存的单通道模式
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三根内存的单通道模式 内存双通道(隔行模式）Dual-channel (interleaved) mode 双通道这种模式提供了更高的内存吞吐量，并且当DIMM通道的内存容量相等时启用。当使用不同的速度时，使用的是最慢的内存时间。 双通道，就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍。 双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减50%，从而使内存的带宽翻倍。
<img src="https://pic1.zhimg.com/50/v2-3c6aae17487b3c91709ce46e2aa99ab0_hd.jpg" data-rawwidth="392" data-rawheight="333" class="content_image" width="392"> <img src="https://pic3.zhimg.com/50/v2-011c8b5823fa1999901cfda998bfef43_hd.jpg" data-rawwidth="401" data-rawheight="337" class="content_image" width="401"> <img src="https://pic2.zhimg.com/50/v2-1df6284bf2fc0f2a0a96046c81a4d22c_hd.jpg" data-rawwidth="411" data-rawheight="329" class="content_image" width="411">
双通道规则 相同的内存大小。 相同的内存参数。（相同的内存品牌，相同的时序，相同的频率） 匹配的对称的内存插槽位置。 如果上述规则不满足，则会降档到单通道模式。 双通道，就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍。 双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减50%，从而使内存的带宽翻倍。 <img src="https://pic1.zhimg.com/50/v2-fb979a3c1cd385f939825b100f673e65_hd.jpg" data-rawwidth="600" data-rawheight="388" class="origin_image zh-lightbox-thumb" width="600" data-original="https://pic1.zhimg.com/v2-fb979a3c1cd385f939825b100f673e65_r.jpg"> 内存三通道Triple-channel mode 通过连续访问DIMM内存，三通道交错可以减少总体的内存延迟。数据通过一个交互模式在内存模块中传播。 <img src="https://pic3.zhimg.com/50/v2-9a83cde01bd5244f6f43a37b9c2218ab_hd.jpg" data-rawwidth="411" data-rawheight="386" class="content_image" width="411"> 如上图当在三个蓝色内存插槽中安装了相同的匹配内存模块时，可以启用三通道模式。如果只有两个蓝色内存槽中填充了匹配的内存槽位，双通道模式就启用了。 内存四通道Quad-channel mode .当4个(或4个倍数)的内存在容量和速度上是相同的，并且被放置在四通道槽中，这个模式就启用了。当安装两个内存模块时，系统将以双通道模式运行。当安装三个内存模块时，系统将以三通道模式运行。 <img src="https://pic4.zhimg.com/50/v2-87cc6ba41ef195ac2eff079dbfe089eb_hd.jpg" data-rawwidth="356" data-rawheight="424" class="content_image" width="356"> <img src="https://pic1.zhimg.com/50/v2-9776ff6e26033b003fed95c997e4e689_hd.jpg" data-rawwidth="365" data-rawheight="426" class="content_image" width="365"> 内存弹性通道Flex mode 这种模式可以在整个DRAM内存中同时进行双通道和单通道操作。图中显示了使用两个弹性的模式配置。 <img src="https://pic3.zhimg.com/50/v2-e853858882fe528784dbc2a380d42cd8_hd.jpg" data-rawwidth="394" data-rawheight="316" class="content_image" width="394"> 槽1中的2 GB 内存和槽2中2 GB的内存在双通道模式下进行操作。 槽2中剩下的2 GB 内存的单通道模式下。 最后： 普通PC不是服务器，除非你机器上的BIOS有明确支持弹性模式FLEX MODE。4G和8G的内存是不能组成双通道的。
内存条分类及规格参数介绍
内存可以根据储存能力与电源的关系可以分为以下两类：
易失性存储器（Volatile memory）指的是当电源供应中断后，存储器所储存的资料便会消失的存储器。主要有以下的类型：
RAM（Random access memory，随机访问存储器）
DRAM（Dynamic random access memory，动态随机访问存储器）
SRAM（Static random access memory，静态随机访问存储器）
非易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所储存的资料并不会消失，重新供电后，就能够读取内存资料的存储器。
主要有以下的类型：
ROM（Read-only memory，只读存储器）
PROM（Programmable read-only memory，可编程只读存储器）
EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可编程只读存储器）
EEPROM （Electrically erasable programmable read only memory，可电擦可编程只读存储器）
Flash memory（快闪存储器）
按内存条的接口形式，常见内存条有两种：
单列直插内存条（SIMM）和 双列直插内存条（DIMM）
按内存的工作方式：
FPA EDO DRAM-------FPM（FAST PAGE MODE）RAM EDO（EXTENDED DATA OUT）
RAM SDRAM（同步动态RAM）-----S（SYSNECRONOUS）
DRAM DDR（DOUBLE DATA RAGE）
RAM 内存条性能评价指标：
存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。
存取速度：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。 性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。
SDR和DDR1/2/3全系列内存对照表：
single-sided和double-sided、single-rank和double-rank 如果1根ECC DIMM的9颗芯片都位于DIMM的同一面，就叫做single-sided（单面）。如果9颗芯片分布在DIMM的两面，就叫做double-sided（双面）。作为对single-sided和double-sided的补充，DIMM还被分为single-rank和double-rank（也就是我们在内存的lable上经常能看到的1R，2R）。 2R*8----R是rank,8是内存颗粒位宽；当颗粒位宽×颗粒数=64bits时，这个模组就是有一个RANK。 标签： M379B5273DHO-YKO M：M=memory 3：3=DIMM 台式机内存 79：台式机黑条 B：B=DDR3 52=DEPTH 2Gb7=8bank 1.5V3=8 bitD=30nm制程H=FBGA封装无铅无汞0=PCB版本 0为初版 Y=1.35V低电压，K0=DDR3-1600 这个笔记本内存条竟然翻译出台式内存黑条是不是很搞笑。
参考：
教你识别三星内存条的真假
https://jingyan.baidu.com/article/2f9b480d4edaef41ca6cc254.html.
家用服务器diy
DYI：（超威主板+双路+1200w电源+阵列卡+可移动式机箱+水路）
华硕双路主板：z9pe，sus z10pe-d16 ws